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解析高純?cè)噭┮约案呒冊(cè)噭┓诸?lèi)

來(lái)源: 網(wǎng)絡(luò) 2016-12-13 13:35:55

純度遠(yuǎn)高于優(yōu)級(jí)純的試劑叫做高純?cè)噭Ｊ窃谕ㄓ迷噭┗A(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，是為了專(zhuān)門(mén)的使用目的而用特殊方法生產(chǎn)的純度高的試劑。高純?cè)噭┛刂频氖请s質(zhì)項(xiàng)含量，基準(zhǔn)試劑控制的是主含量，基準(zhǔn)試劑可用標(biāo)準(zhǔn)溶液的配制，但高純?cè)噭┎荒苡糜跇?biāo)準(zhǔn)溶液的配制（單質(zhì)氧化物除外）。

目前在國(guó)際上也無(wú)統(tǒng)一的明確規(guī)格，我國(guó)除對(duì)少數(shù)產(chǎn)品制定了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)外，大部分高純?cè)噭┑馁|(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)還很不統(tǒng)一，在名稱(chēng)上也有高純、超純、特純、光譜純、電子純等不同叫法。一般以 9 來(lái)表示產(chǎn)品的純度。故在規(guī)格欄中標(biāo)以 2 個(gè) 9 、 3 個(gè) 9 、 4 個(gè) 9 以此類(lèi)推，根據(jù)這個(gè)原則可將高純物質(zhì)分為：

雜質(zhì)總含量不大于 1.5 × 10 -2 % ，其純度為 3.5 個(gè) 9 （ 99.95 ）簡(jiǎn)寫(xiě)為 3.5N

雜質(zhì)總含量不大于 1.0 × 10 -2 % ，其純度為 4 個(gè) 9 （ 99.99 ）簡(jiǎn)寫(xiě)為 4.0N

雜質(zhì)總含量不大于 1.0 × 10 -3 % ，其純度為 5 個(gè) 9 （ 99.999 ）簡(jiǎn)寫(xiě)為 5N

對(duì)高純?cè)噭┗蚋呒冊(cè)丶兌然螂s質(zhì)含量的檢驗(yàn)，一般常用原子吸收光譜、原子發(fā)射光譜、色譜、質(zhì)譜比色化學(xué)分析等方法進(jìn)行測(cè)定。其陰離子規(guī)格原則上參照試劑優(yōu)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，沒(méi)有優(yōu)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品由生產(chǎn)單位自行制定。根據(jù)用途不同，把高純?cè)噭┯址殖蓭状箢?lèi)：

普通離純?cè)噭?：

是指一些高純單質(zhì)金屬、氧化物、金屬鹽類(lèi)等，常用于原子能工業(yè)材料、電子工業(yè)材料、半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料等，金屬單質(zhì)的氧化物、用來(lái)配制標(biāo)準(zhǔn)溶液和作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，該類(lèi)試劑常要求含量在 4N-6N 之間。

超凈電子純?cè)噭?：

超凈高純?cè)噭┦羌呻娐罚?IC ）制造工藝中的專(zhuān)用化學(xué)品，用于硅片清洗、光刻、腐蝕工序中。對(duì)這種高純?cè)噭┲锌扇苄噪s質(zhì)和固態(tài)微粒要求非常嚴(yán)格，為適應(yīng) IC 集成度不斷提高的需求，國(guó)際上半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（ Semiconductor Industry Association ）近來(lái)推出 Semic7( 適合 0.8-1.2 微米工藝技術(shù) ) 和 Semic8( 適合于 0.2-0.6 微米工藝技術(shù) ) 級(jí)別的試劑質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。我國(guó)在原有 MOS 級(jí)、 BV-I 級(jí)試劑的基礎(chǔ)上，又制定出 BV-II 級(jí)和 BV-III 級(jí)試劑標(biāo)準(zhǔn)（相當(dāng)于 Semic7 ）。我研究所也研制多種 MOS 級(jí)、 BV-I 級(jí) BV-II 級(jí)和部分 BV-III 級(jí)試劑，其顆粒度（ 0.5 微粒顆粒）≤ 25-100 個(gè)∕ ml ，金屬雜質(zhì)總量≤ 10 -3 — 10 - 5 ﹪

光刻膠高純?cè)噭?：

光刻工藝是一種表面加工技術(shù)，在半導(dǎo)體電子器件和集成電路制造中占有重要地位。為在表面實(shí)現(xiàn)選擇性腐蝕，采用一類(lèi)具有抗蝕作用的感光樹(shù)脂材料作為抗蝕涂層，稱(chēng)為抗蝕劑，國(guó)內(nèi)通稱(chēng)光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性”光刻膠和“負(fù)性”光刻膠，按所用曝光光源和輻射光源的不同，又可將其分為紫外、遠(yuǎn)紫外、電子束、 X 射線等光刻膠。

光刻膠是微細(xì)圖形加工的一種關(guān)鍵試劑，要求水分低、金屬雜質(zhì)含量低（≤ 10 -6 ）

磨拋光高純?cè)噭?：

是指用于硅單晶片表面的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉（三氧化二鋁）和磨液（水和油劑），能研磨表面達(dá)到微米級(jí)加工精度。這類(lèi)試劑要求顆粒粒度小（納米），純度高，金屬雜質(zhì)一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪

液晶高純?cè)噭?：

液晶是一類(lèi)電子化學(xué)材料，是指在一定溫度范圍內(nèi)呈現(xiàn)介于固相和液相之間的中間相的有機(jī)物。它既有液態(tài)的流動(dòng)性也有晶態(tài)的各向異性，有時(shí)人稱(chēng)他為第四態(tài)。

液晶種類(lèi)繁多，用途最廣，前景最大的要屬 TN( 低檔 ) 、 STN （中高檔）、 TFT （高檔）型。 TN 、 STN 及TFT 三種型號(hào)所組成的單體液晶，主要包括芳香酯類(lèi)、聯(lián)苯類(lèi)、苯基環(huán)已烷類(lèi)、鐵電類(lèi)以及含氟液晶品等五種，它們是當(dāng)今及今后使用及發(fā)展的主要對(duì)象。這類(lèi)高純?cè)噭┮蠛扛撸ā?99 ﹪），水分含量低（≤ 10 -6 ），金屬雜質(zhì)含量少（≤ 10 -6 ）。

借助液晶獨(dú)特的光、電子特性可以用于檢查飛機(jī)、人選衛(wèi)星等裝置上的缺陷，在醫(yī)學(xué)上用來(lái)診斷癌癥、結(jié)核等病癥。

高純?cè)噭?/a>通用試劑

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